Hersteller Produktnummer:
2SB1274R-SA
Product Overview
Hersteller:
Sanyo
Teilenummer:
2SB1274R-SA-DG
Beschreibung:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Inventar:
8300 Stück Neu Original Auf Lager
12940366
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SB1274R-SA Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220ML
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,902
Andere Namen
2156-2SB1274R-SA
ONSSNY2SB1274R-SA
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SB985T-AE
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SA1965-S-TL-E
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SB560E-MP-AE-SY
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
