2N7000
Hersteller Produktnummer:

2N7000

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

2N7000-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 350mA (Tc) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventar:

12881031
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2N7000 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
350mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±18V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
43 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Basis-Produktnummer
2N70

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-3110-NDR
497-3110

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
2N7000BU
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
38857
TEILNUMMER
2N7000BU-DG
Einheitspreis
0.08
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