2SD2012
Hersteller Produktnummer:

2SD2012

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

2SD2012-DG

Beschreibung:

TRANS NPN 60V 3A TO220F
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 3MHz 25 W Through Hole TO-220F

Inventar:

12877509
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Mindestens 1
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2SD2012 Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
25 W
Frequenz - Übergang
3MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Basis-Produktnummer
2SD2

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-5900-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
KSD2012GTU
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
65590
TEILNUMMER
KSD2012GTU-DG
Einheitspreis
0.39
ERSATZART
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