IRF830
Hersteller Produktnummer:

IRF830

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

IRF830-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 4.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

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IRF830 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
PowerMESH™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
610 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRF8

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-2732-5
2156-IRF830-ST
HARSTMIRF830

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
IRF830PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
9086
TEILNUMMER
IRF830PBF-DG
Einheitspreis
0.53
ERSATZART
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Teilenummer
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IRF830APBF-DG
Einheitspreis
0.59
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cr
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