Hersteller Produktnummer:
MJD122T4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
MJD122T4-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Surface Mount DPAK
Inventar:
12873090
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Menge
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MJD122T4 Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Leistung - Max
20 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Basis-Produktnummer
MJD122
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
497-2469-6
497-2469-1-NDR
497-2469-2
497-2469-2-NDR
497-2469-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
MJD122G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1748
TEILNUMMER
MJD122G-DG
Einheitspreis
0.37
ERSATZART
Direct
Teilenummer
NJVMJD112G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
NJVMJD112G-DG
Einheitspreis
0.22
ERSATZART
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