Hersteller Produktnummer:
STB26N60M2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB26N60M2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventar:
12878635
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STB26N60M2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1360 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
169W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
D2PAK
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB26
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-17546-6
497-17546-1
497-17546-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPB60R160C6ATMA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3347
TEILNUMMER
IPB60R160C6ATMA1-DG
Einheitspreis
1.71
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