Hersteller Produktnummer:
STB2N62K3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB2N62K3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 620 V 2.2A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
634 Stück Neu Original Auf Lager
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STB2N62K3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
620 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
340 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB2N
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
-497-12971-6
497-12971-6
497-12971-2
497-12971-1
-497-12971-2
-497-12971-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBC20SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
IRFBC20SPBF-DG
Einheitspreis
1.12
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