Hersteller Produktnummer:
STB50N25M5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB50N25M5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 28A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 28A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12873042
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STB50N25M5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1700 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB50N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-10024-2
497-10024-1
497-10024-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
SUM45N25-58-E3
HERSTELLER
Vishay Siliconix
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6328
TEILNUMMER
SUM45N25-58-E3-DG
Einheitspreis
1.90
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