Hersteller Produktnummer:
STB6N80K5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STB6N80K5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12945697
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STB6N80K5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SuperMESH5™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
255 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STB6N80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
497-14974-6
497-14974-2
497-14974-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFA7N80P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
257
TEILNUMMER
IXFA7N80P-DG
Einheitspreis
1.67
ERSATZART
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