Hersteller Produktnummer:
STD11N65M2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STD11N65M2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
98 Stück Neu Original Auf Lager
12874404
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STD11N65M2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ II Plus
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
670mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
410 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
85W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
STD11
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
-497-15048-6
497-15048-6
497-15048-2
-497-15048-1
-497-15048-2
497-15048-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXTY4N65X2
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
70
TEILNUMMER
IXTY4N65X2-DG
Einheitspreis
1.07
ERSATZART
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