Hersteller Produktnummer:
STH52N10LF3-2AG
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STH52N10LF3-2AG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 52A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventar:
12875921
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STH52N10LF3-2AG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™ F3
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1900 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
H2PAK-2
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
STH52
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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