Hersteller Produktnummer:
STL19N65M5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STL19N65M5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 2.3A (Ta), 12.5A (Tc) 2.8W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventar:
2408 Stück Neu Original Auf Lager
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STL19N65M5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
MDmesh™ V
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 90W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerFlat™ (8x8) HV
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
STL19
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
497-14538-6
-497-14538-1
-497-14538-2
497-14538-2
497-14538-1
STL19N65M5-DG
-497-14538-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STB18NM80
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
STB18NM80-DG
Einheitspreis
2.07
ERSATZART
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