Hersteller Produktnummer:
STL3NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STL3NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 650mA (Ta), 2.2A (Tc) 2W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Inventar:
8766 Stück Neu Original Auf Lager
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STL3NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
188 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer
STL3NM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
497-13351-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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