Startseite
Produkte
Hersteller
Über DiGi
Kontaktiere uns
Blogs & Beiträge
Anfrage/Angebot
Austria
Anmelden
Auswahl Sprache
Derzeitige Sprache Ihrer Wahl:
Austria
Schalter:
Englisch
Europa
Vereinigtes Königreich
Frankreich
Spanien
Turkei
Republik Moldau
Litauen
Norwegen
Deutschland
Portugal
Slowakei
ltaly
Finnland
Russisch
Bulgarien
Dänemark
Estland
Polen
Ukraine
Slowenien
Tschechisch
Griechisch
Kroatien
Israel
Serbien
Belarus
Niederlande
Schweden
Montenegro
Baskisch
Island
Bosnien
Ungarisch
Rumänien
Österreich
Belgien
Irland
Asien / Pazifik
China
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Philippinisch
Malaysien
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudi-Arabien
Katar
Kuwait
Kambodscha
Myanmar
Afrika, Indien und Naher Osten
Vereinigte Arabische Emirate
Tadschikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Südafrika
Ägypten
Kenia
Tansania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesien
Südamerika / Ozeanien
Neuseeland
Angola
Brazilien
Mosambik
Peru
Kolumbien
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivien
Uruguay
Argentinien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexiko
Über DiGi
Über uns
Über uns
Unsere Zertifizierungen
DiGi Einführung
Warum DiGi
Richtlinie
Qualitätspolitik
Nutzungsbedingungen
RoHS-Konformität
Rückgabeprozess
Ressourcen
Produktkategorien
Hersteller
Blogs & Beiträge
Dienstleistungen
Qualitätsgarantie
Zahlungsart
Globale Lieferung
Versandkosten
Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
STP11N52K3
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP11N52K3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 525V 10A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 525 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
564 Stück Neu Original Auf Lager
12875318
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
*
Unternehmen
*
Kontaktname
*
Telefon
*
E-Mail
Lieferadresse
Nachricht
(
*
) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
STP11N52K3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH3™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
525 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
510mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1400 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP11N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-11870-5
-497-11870-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IXFP12N50P
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
300
TEILNUMMER
IXFP12N50P-DG
Einheitspreis
1.71
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IRFB13N50APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1693
TEILNUMMER
IRFB13N50APBF-DG
Einheitspreis
1.46
ERSATZART
Similar
Teilenummer
IRF740PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
1690
TEILNUMMER
IRF740PBF-DG
Einheitspreis
0.76
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
STB24N60DM2
MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
STH270N8F7-6
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK
STW150NF55
MOSFET N-CH 55V 120A TO247-3
STD9HN65M2
MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK