Hersteller Produktnummer:
STP165N10F4
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP165N10F4-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12873128
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STP165N10F4 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
DeepGATE™, STripFET™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10500 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
315W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP165
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-10710-5-DG
497-10710-5
497-STP165N10F4
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDP054N10
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
919
TEILNUMMER
FDP054N10-DG
Einheitspreis
2.39
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