Hersteller Produktnummer:
STP210N75F6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP210N75F6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
46 Stück Neu Original Auf Lager
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STP210N75F6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
171 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
11800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP210
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-11334-5
497-11334-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB3607PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
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IRFB3607PBF-DG
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