Hersteller Produktnummer:
STP23NM50N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP23NM50N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 17A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 500 V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12878733
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STP23NM50N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1330 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP23
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-10883-5
-497-10883-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IPP50R199CPXKSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
476
TEILNUMMER
IPP50R199CPXKSA1-DG
Einheitspreis
1.49
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