Hersteller Produktnummer:
STP26N60M2
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP26N60M2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12877742
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STP26N60M2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±25V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
169W (Tc)
Betriebstemperatur
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP26
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TK17E65W,S1X
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
12
TEILNUMMER
TK17E65W,S1X-DG
Einheitspreis
1.35
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