STP27N60M2-EP
Hersteller Produktnummer:

STP27N60M2-EP

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STP27N60M2-EP-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 20A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220

Inventar:

12945733
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STP27N60M2-EP Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2-EP
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
163mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1320 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
170W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP27N

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
50
Andere Namen
497-16489-5
-497-16489-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
AOT25S65L
HERSTELLER
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
AOT25S65L-DG
Einheitspreis
1.99
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Teilenummer
IXFP22N65X2
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0
TEILNUMMER
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Einheitspreis
2.43
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