Hersteller Produktnummer:
STP3N80K5
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP3N80K5-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
841 Stück Neu Original Auf Lager
12879389
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STP3N80K5 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
SuperMESH5™
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
800 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
130 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP3N80
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
-497-14281-5
STP3N80K5-DG
497-14281-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBE30PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2597
TEILNUMMER
IRFBE30PBF-DG
Einheitspreis
0.83
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