Hersteller Produktnummer:
STP80N70F6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STP80N70F6-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 68V 96A TO220
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 68 V 96A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
12877608
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STP80N70F6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
DeepGATE™, STripFET™ VI
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
68 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 48A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
99 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5850 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
STP80
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
497-13554-5
-497-13554-5
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB3307ZPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
1731
TEILNUMMER
IRFB3307ZPBF-DG
Einheitspreis
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