Hersteller Produktnummer:
STQ2HNK60ZR-AP
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STQ2HNK60ZR-AP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
9835 Stück Neu Original Auf Lager
12872963
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STQ2HNK60ZR-AP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tape & Box (TB)
Reihe
SuperMESH™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.8Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
280 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Basis-Produktnummer
STQ2HNK60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
STQ2HNK60ZRAP
497-12344-1
497-12344-3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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