Hersteller Produktnummer:
STS9P3LLH6
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STS9P3LLH6-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 9A (Ta) 2.7W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
12874867
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STS9P3LLH6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
-
Reihe
STripFET™ H6
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2615 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.7W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Produktnummer
STS9P
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RRH100P03GZETB
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
6955
TEILNUMMER
RRH100P03GZETB-DG
Einheitspreis
0.64
ERSATZART
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Einheitspreis
0.23
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