Hersteller Produktnummer:
STU7NM60N
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STU7NM60N-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventar:
650 Stück Neu Original Auf Lager
12876960
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STU7NM60N Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ II
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
363 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
STU7NM60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
497-12367
-1138-STU7NM60N
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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