STW24N60M2
Hersteller Produktnummer:

STW24N60M2

Product Overview

Hersteller:

STMicroelectronics

Teilenummer:

STW24N60M2-DG

Beschreibung:

N-channel 600 V, 0.168 Ohm typ.,
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

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STW24N60M2 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ II Plus
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1060 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW24

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
600
Andere Namen
-497-13594-5
5060-STW24N60M2
497-13594-5

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
R6020YNZ4C13
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
600
TEILNUMMER
R6020YNZ4C13-DG
Einheitspreis
2.87
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