Hersteller Produktnummer:
STW42N60M2-EP
Product Overview
Hersteller:
STMicroelectronics
Teilenummer:
STW42N60M2-EP-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 34A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
480 Stück Neu Original Auf Lager
12880058
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
STW42N60M2-EP Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
STMicroelectronics
Verpackung
Tube
Reihe
MDmesh™ M2-EP
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
87mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2370 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
STW42
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
497-15883-5
-1138-STW42N60M2-EP
497-15883-5-DG
497-STW42N60M2-EP
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
STP28NM50N
MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
STF20NF06L
MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
STP10NK80Z
MOSFET N-CH 800V 9A TO220AB
