Hersteller Produktnummer:
CSD13306WT
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD13306WT-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 12 V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
Inventar:
2085 Stück Neu Original Auf Lager
12818338
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CSD13306WT Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
12 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1370 pF @ 6 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.9W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Koffer
6-UFBGA, DSBGA
Basis-Produktnummer
CSD13306
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
296-41134-6
TEXTISCSD13306WT
296-41134-2
2156-CSD13306WT
296-41134-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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