CSD16323Q3T
Hersteller Produktnummer:

CSD16323Q3T

Product Overview

Hersteller:

Texas Instruments

Teilenummer:

CSD16323Q3T-DG

Beschreibung:

PROTOTYPE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Inventar:

12996156
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CSD16323Q3T Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
-
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Ta), 105A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
3V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 24A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 12.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD16323

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1
Andere Namen
296-CSD16323Q3T

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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