Hersteller Produktnummer:

CSD16323Q3T

Product Overview

Hersteller:

Texas Instruments

Teilenummer:

CSD16323Q3T-DG

Beschreibung:

PROTOTYPE

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 25 V 20A (Ta), 105A (Tc) 2.8W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Inventar:

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CSD16323Q3T Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Texas Instruments

Verpackung

-

Reihe

NexFET™

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

25 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

20A (Ta), 105A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

3V, 8V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 24A, 8V

vgs(th) (max.) @ id

1.4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Vgs (Max)

+10V, -8V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1300 pF @ 12.5 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.8W (Ta), 74W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Paket / Koffer

8-PowerTDFN

Basis-Produktnummer

CSD16323

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1

Andere Namen

296-CSD16323Q3T

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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