Hersteller Produktnummer:
CSD16556Q5B
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD16556Q5B-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Inventar:
7319 Stück Neu Original Auf Lager
12795637
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CSD16556Q5B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.07mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1.7V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6180 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 191W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSONP (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD16556
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
-296-35627-2
CSD16556Q5B-DG
TEXTISCSD16556Q5B
296-35627-1
2156-CSD16556Q5B
296-35627-2
-296-35627-2-DG
296-35627-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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