Hersteller Produktnummer:
CSD18532KCS
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD18532KCS-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
1360 Stück Neu Original Auf Lager
12815069
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
CSD18532KCS Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tube
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4680 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220-3
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
CSD18532
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
296-34941-5
-296-34941-5
-296-34941-5-DG
-CSD18532KCS-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
CSD17575Q3T
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
IRF300P227
MOSFET N-CH 300V 50A TO247AC
EPC2001
GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
