CSD19531Q5A
Hersteller Produktnummer:

CSD19531Q5A

Product Overview

Hersteller:

Texas Instruments

Teilenummer:

CSD19531Q5A-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)

Inventar:

5285 Stück Neu Original Auf Lager
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CSD19531Q5A Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.4mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3870 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSONP (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD19531

Datenblatt & Dokumente

Hersteller-Produktseite
Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,500
Andere Namen
-CSD19531Q5AINACTIVE
296-41232-2
296-41232-1
CSD19531Q5A-DG
296-41232-6
-CSD19531Q5A-NDR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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