Hersteller Produktnummer:
CSD19537Q3T
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD19537Q3T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 50A (Ta) 2.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Inventar:
2462 Stück Neu Original Auf Lager
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CSD19537Q3T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
50A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1680 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
CSD19537Q3
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
296-42632-6
2156-CSD19537Q3TTR
296-42632-1
296-42632-2
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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