Hersteller Produktnummer:
CSD19538Q2T
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD19538Q2T-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 13.1A (Tc) 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) Surface Mount 6-WSON (2x2)
Inventar:
4287 Stück Neu Original Auf Lager
12789544
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
CSD19538Q2T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
454 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 20.2W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-WSON (2x2)
Paket / Koffer
6-WDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
CSD19538
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
250
Andere Namen
296-44612-1
296-44612-2
296-44612-6
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
CSD18503Q5AT
MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
CP773-CMPDM302PH-WN
MOSFET P-CH 30V 2.4A DIE