CSD25211W1015
Hersteller Produktnummer:

CSD25211W1015

Product Overview

Hersteller:

Texas Instruments

Teilenummer:

CSD25211W1015-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)

Inventar:

383 Stück Neu Original Auf Lager
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CSD25211W1015 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.2A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
-6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
570 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
6-DSBGA (1x1.5)
Paket / Koffer
6-UFBGA, DSBGA
Basis-Produktnummer
CSD25211

Datenblatt & Dokumente

Hersteller-Produktseite
CSD25211W1015 Specifications
Datenblätter
CSD25211W1015 Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
CSD25211W1015-DG
-296-36578-1-DG
296-36578-6-NDR
-296-36578-1
296-36578-1
296-36578-2-NDR
296-36578-1-NDR
296-36578-2
-CSD25211W1015-NDR
296-36578-6

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
PMCM6501UPEZ
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
15278
TEILNUMMER
PMCM6501UPEZ-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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