Hersteller Produktnummer:
CSD86330Q3D
Product Overview
Hersteller:
Texas Instruments
Teilenummer:
CSD86330Q3D-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 25V 20A 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
Inventar:
23708 Stück Neu Original Auf Lager
12791527
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CSD86330Q3D Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Texas Instruments
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
NexFET™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 14A, 8V
vgs(th) (max.) @ id
2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920pF @ 12.5V
Leistung - Max
6W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerLDFN
Gerätepaket für Lieferanten
8-LSON (3.3x3.3)
Basis-Produktnummer
CSD86330Q3
Datenblatt & Dokumente
Hersteller-Produktseite
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
296-28216-2
TEXTISCSD86330Q3D
296-28216-6
-296-28216-1-DG
-CSD86330Q3D-NDR
2156-CSD86330Q3D
296-28216-1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Affected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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