Hersteller Produktnummer:
2SC2235(T6KMAT,F,M
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SC2235(T6KMAT,F,M-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
Inventar:
12890963
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
Ch7u
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SC2235(T6KMAT,F,M Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
800 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 100mA, 5V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
120MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92MOD
Basis-Produktnummer
2SC2235
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
2SC2235T6KMATFM
2SC2235(T6KMATFM
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SC2655-O(TE6,F,M)
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD
2SA1020-Y(T6ND3,AF
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
2SA1837,YHF(M
TRANS PNP 230V 1A TO220NIS
