Hersteller Produktnummer:
2SK2866(F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
2SK2866(F)-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 10A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12891383
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2SK2866(F) Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
750mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2040 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
2SK2866
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFB9N60APBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
2220
TEILNUMMER
IRFB9N60APBF-DG
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