HN1A01FU-GR,LF
Hersteller Produktnummer:

HN1A01FU-GR,LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

HN1A01FU-GR,LF-DG

Beschreibung:

TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6

Inventar:

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12891621
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HN1A01FU-GR,LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
150mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Leistung - Max
200mW
Frequenz - Übergang
80MHz
Betriebstemperatur
125°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
US6
Basis-Produktnummer
HN1A01

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HN1A01FU

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
HN1A01FUGRLFTCT
HN1A01FU-GRLFTR
HN1A01FUGRLFTDKR
HN1A01FUGRLFTDKR-DG
HN1A01FU-GR,LF(B
HN1A01FU-GR,LF(T
HN1A01FU-GRLFDKR-DG
HN1A01FUGRLFT
264-HN1A01FU-GR,LFCT
HN1A01FU-GRLFTR-DG
HN1A01FUGRLFTCT-DG
HN1A01FU-GRLFCT
HN1A01FUGRLFTTR-DG
HN1A01FU-GRLFDKR
HN1A01FU-GRLFCT-DG
HN1A01FUGRLFTTR
264-HN1A01FU-GR,LFTR
264-HN1A01FU-GR,LFDKR
HN1A01FU-GR,LKF(T

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
UMT1NTN
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
18393
TEILNUMMER
UMT1NTN-DG
Einheitspreis
0.06
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