Hersteller Produktnummer:
HN4B102J(TE85L,F)
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
HN4B102J(TE85L,F)-DG
Beschreibung:
PB-F POWER TRANSISTOR SMV MOQ=30
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 1.8A, 2A 750mW Surface Mount SMV
Inventar:
2900 Stück Neu Original Auf Lager
12988801
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HN4B102J(TE85L,F) Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare Transistor-Arrays
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1.8A, 2A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
30V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
140mV @ 20mA, 600mA / 200mV @ 20mA, 600mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 200mA, 2V
Leistung - Max
750mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-74A, SOT-753
Gerätepaket für Lieferanten
SMV
Basis-Produktnummer
HN4B102
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-HN4B102J(TE85LF)TR
264-HN4B102J(TE85LF)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)DKR
264-HN4B102J(TE85L,F)TR-DG
264-HN4B102J(TE85L,F)TR
264-HN4B102J(TE85L,F)CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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