RN2403,LF
Hersteller Produktnummer:

RN2403,LF

Product Overview

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Teilenummer:

RN2403,LF-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Inventar:

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12889615
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RN2403,LF Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
200 MHz
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
RN2403

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
RN2401-06

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
264-RN2403,LFCT
RN2403LF-DG
RN2403LF
264-RN2403,LFDKR
264-RN2403,LFTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
PDTA124ET,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
12322
TEILNUMMER
PDTA124ET,215-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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Teilenummer
MUN2112T1G
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Einheitspreis
0.03
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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