Hersteller Produktnummer:
SSM6J414TU,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
SSM6J414TU,LF-DG
Beschreibung:
MOSFET P CH 20V 6A UF6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Inventar:
5120 Stück Neu Original Auf Lager
12889311
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SSM6J414TU,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
U-MOSVI
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1650 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
UF6
Paket / Koffer
6-SMD, Flat Leads
Basis-Produktnummer
SSM6J414
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SSM6J414TULF(TDKR
SSM6J414TULF(TTR
SSM6J414TU,LF(T
SSM6J414TULFDKR
SSM6J414TULF
SSM6J414TU,LFCT
SSM6J414TULF(TCT
SSM6J414TULF(TCT-DG
SSM6J414TULF(TDKR-DG
SSM6J414TULFCT
SSM6J414TULF(TTR-DG
SSM6J414TULFTR
SSM6J414TU,LFDKR
SSM6J414TU,LFTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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