Hersteller Produktnummer:
TK3R3A06PL,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK3R3A06PL,S4X-DG
Beschreibung:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12920896
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TK3R3A06PL,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5000 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
175°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK3R3A06
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK3R3A06PL,S4X(S
264-TK3R3A06PLS4X
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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