Hersteller Produktnummer:
TK560A65Y,S4X
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TK560A65Y,S4X-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Inventar:
5 Stück Neu Original Auf Lager
12891557
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TK560A65Y,S4X Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tube
Reihe
DTMOSV
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
380 pF @ 300 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
30W
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220SIS
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Basis-Produktnummer
TK560A65
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TK560A65YS4X
TK560A65Y,S4X(S
TK560A65YS4X(S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
STF13N65M2
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
862
TEILNUMMER
STF13N65M2-DG
Einheitspreis
0.76
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