Hersteller Produktnummer:
TTC009,F(J
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TTC009,F(J-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 80V 3A TO220NIS
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 3 A 150MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
Inventar:
12890268
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Menge
Mindestens 1
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P6Dn
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TTC009,F(J Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220NIS
Basis-Produktnummer
TTC009
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Andere Namen
TTC009F(J
TTC009FJ
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
2SC6076(TE16L1,NV)
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
2SC6076(TE16L1,NV)-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
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