Hersteller Produktnummer:
TTC1949-Y,LF
Product Overview
Hersteller:
Toshiba Semiconductor and Storage
Teilenummer:
TTC1949-Y,LF-DG
Beschreibung:
TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 100MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Inventar:
12890807
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Menge
Mindestens 1
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8qpP
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TTC1949-Y,LF Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
200 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
S-Mini
Basis-Produktnummer
TTC1949
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
TTC1949-YLFDKR
264-TTC1949-Y,LFCT
TTC1949-YLFCT
TTC1949-YLFTR-DG
TTC1949-YLFTR
TTC1949-Y,LF(B
TTC1949-YLFDKR-DG
TTC1949-YLFCT-DG
264-TTC1949-Y,LFTR
264-TTC1949-Y,LFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
BC817-40 RFG
HERSTELLER
Taiwan Semiconductor Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
4889
TEILNUMMER
BC817-40 RFG-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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