Hersteller Produktnummer:
2N7002E-T1-GE3
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
2N7002E-T1-GE3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
Inventar:
16106 Stück Neu Original Auf Lager
12872999
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2N7002E-T1-GE3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
21 pF @ 5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
350mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-236
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer
2N7002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
2N7002E-T1-GE3TR
2N7002E-T1-GE3-DG
2N7002E-T1-GE3CT
2N7002E-T1-GE3DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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