Hersteller Produktnummer:
IRF510S
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRF510S-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
12858648
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IRF510S Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IRF510
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
*IRF510S
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF510SPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
27540
TEILNUMMER
IRF510SPBF-DG
Einheitspreis
0.51
ERSATZART
Direct
DIGI-Zertifizierung
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