IRF640SPBF

Hersteller Produktnummer:

IRF640SPBF

Product Overview

Hersteller:

Vishay Siliconix

Teilenummer:

IRF640SPBF-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventar:

309 Stück Neu Original Auf Lager

12881336

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IRF640SPBF Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Vishay

Verpackung

Tube

Reihe

-

Produktstatus

Active

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

200 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

18A (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

70 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

1300 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 130W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

TO-263 (D2PAK)

Paket / Koffer

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Basis-Produktnummer

IRF640

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

50

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Affected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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