Hersteller Produktnummer:
IRFBC40LPBF
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFBC40LPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventar:
12910395
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IRFBC40LPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-262-3
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IRFBC40
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
*IRFBC40LPBF
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FQI7N60TU
HERSTELLER
Fairchild Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
1000
TEILNUMMER
FQI7N60TU-DG
Einheitspreis
1.32
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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