Hersteller Produktnummer:
IRFBG30
Product Overview
Hersteller:
Vishay Siliconix
Teilenummer:
IRFBG30-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
12906999
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Menge
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IRFBG30 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Vishay
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
980 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IRFBG30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
*IRFBG30
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFBG30PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
4495
TEILNUMMER
IRFBG30PBF-DG
Einheitspreis
1.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
IXFP3N120
HERSTELLER
IXYS
VERFÜGBARE ANZAHL
5212
TEILNUMMER
IXFP3N120-DG
Einheitspreis
4.03
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
STP3NK90Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
361
TEILNUMMER
STP3NK90Z-DG
Einheitspreis
0.77
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFPG30PBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
124
TEILNUMMER
IRFPG30PBF-DG
Einheitspreis
1.48
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
STP5NK100Z
HERSTELLER
STMicroelectronics
VERFÜGBARE ANZAHL
3779
TEILNUMMER
STP5NK100Z-DG
Einheitspreis
1.69
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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